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李林


李林(1923年10月31日—2002年5月31日),女。出生于北京。物理學家。1980年當選為中國科學院學部委員(院士)。1952年加入九三學社。

李林出生時,父親李四光在北京大學任教,母親是學鋼琴的,是北師大附中的教師。科學與藝術(shù)結(jié)合,使李林自幼受到良好的家庭教育。她4歲時已能讀書寫字,5歲開始彈鋼琴,常跟父親爬山和野游。父親熱愛祖國、熱愛人民、熱愛科學、忠誠樸實的思想作風對李林影響很深。李林從小就立下志向,學科學、搞科研,幻想著將來也像爸爸一樣成為一名科學家,為祖國的強盛貢獻自己的一份力量。

1934年,李四光偕家到英國講學。11歲的李林在倫敦和英國小朋友同堂學習,2年后回國。不久抗日戰(zhàn)爭爆發(fā),李四光一家由北京遷往上海,之后落腳廣西桂林。李林在桂林沒有讀完高中,便以同等學力考入廣西大學機械系。1944年,她大學畢業(yè)后,到成都航空研究院工作,任機械組助理員。2年后,李四光在李約瑟夫婦的介紹、幫助下,為李林爭得英國文化協(xié)會的獎學金,她漂洋過海到英國伯明翰大學攻讀金屬物理專業(yè)碩士學位。面對全新的金屬物理學科,李林暗下決心:一定要為祖國學好本領(lǐng),用自己的勤奮和智慧,為祖國開辟一條通往科學殿堂的振興之路。

1948年,李林的論文《高純鋁的蠕變》通過答辯,獲英國伯明翰大學物理冶金碩士學位。經(jīng)科托爾博士推薦到劍橋大學冶金系試驗室做試驗員。李林以出色的工作,申請到英國金屬學會獎學金,于1949年到劍橋大學攻讀博士學位,學習金相學和電子顯微鏡。李林在納丁教授的指導下,運用透射電子顯微鏡,觀察、研究金屬材料的顯微結(jié)構(gòu)。1950年她帶著《電子顯微鏡科學》的論文參加了在巴黎舉行的第二屆國際電子顯微鏡學會。

“父親愛國、獻身科學事業(yè)和追求真理的人格,對我的人生之路有著巨大的影響。最難忘的是他對我說,要說老實話,做有道德的人,獻身祖國的人。”在外求學的李林時刻牢記自己是中華民族的女兒,牢記父親的諄諄教導。1951年11月,李林博士論文《低碳鋼的時效硬化》答辯的第二天,沒等拿到畢業(yè)文憑,便心花怒放地踏上回歸的旅途。同年10月,27歲的李林來到中國科學院上海冶金所。她在冶金所的工作主要是研究包頭鐵礦的高氟爐渣腐蝕問題、球墨鑄鐵等課題,1956年獲得中國科學院自然科學集體獎三等獎。她本人榮獲“上海市三八紅旗手”光榮稱號。

心情舒暢、精力旺盛的李林,總覺得渾身有使不完的勁。她不僅出色地完成大量的研究工作,還積極參加社會工作,擔任了上海金屬學會常務理事、冶金所工會副主席、上海市婦聯(lián)執(zhí)委、上海市人大代表等職。

1958年,李林加入中國共產(chǎn)黨,為了祖國核事業(yè),她毅然離開愛人和獨生女來到京郊401所,出任6室副主任。她忘我地投身到艱辛和危險的熱室試驗工作中,特別是從事了大量原子反應堆材料的輻照實驗。這是項放射性強、技術(shù)要求高、工作艱苦的行業(yè);而且會影響生育,通常不讓女性參加,但李林總是堅持到生產(chǎn)第一線,組織協(xié)調(diào)各項生產(chǎn)任務,哪里最危險、最艱苦,李林就出現(xiàn)在哪里。她參加了第一個“反應堆”實驗、第一顆原子彈引爆材料工作實驗、第一艘核潛艇材料實驗,為祖國的原子能工業(yè)做出了貢獻。

1964年,李林由401所調(diào)入194所,參與08、09工程的研制工作,對其核心部位的金屬鈾和二氧化鈾的腐蝕性進行熱室考驗分析,研制新型材料和特殊元件,指導和參與各種元件的生產(chǎn)和檢查工作,最后組裝和技術(shù)把關(guān)。

1973年,李林調(diào)到中國科學院高能物理研究所,從事新的科研工作——超導。1978年10月,李林調(diào)到中國科學院物理研究所9室,任室主任,開始進行超導研究工作。在國際超導研究競爭更加激烈的情況下,1987年,李林和她的研究組在國內(nèi)首次采用濺射方法制備出高臨界溫度釔鋇銅氧超導薄膜,1991年又指導學生用原位直流磁控濺法制備出多層超導薄膜。同年,釔系氧化物超導薄膜獲中科院科技進步獎一等獎,研究組被評為“七五”攻關(guān)先進集體,1992年該成果獲國家科技進步獎一等獎。

李林先后培養(yǎng)了幾十名研究生,發(fā)表160多篇論文。1993年,李林70歲生日時,物理所為她印發(fā)了《李林論文集》。那厚厚的文集,是李林一生心血的結(jié)晶。在李林的人生坐標上,既有其生活中典雅、文靜、閑適的風度;又有工作中剛強、不屈、開拓的精神。

主要論著

1李林,JWMenter and J,Nutting,在低炭鐵中的奧氏體相, PhysSocLondon,1952,65B。

2李林、關(guān)啟標,滲炭鋼中加微量B的研究,金屬學報,1956,1。

3李林、孫少芬,放射性材料的復型技術(shù),原子能科學技術(shù),1964,8。

4李林、趙柏儒等,高TcNb-Ge薄膜的制備和分析,JLow TempPhys,1981,107。

5李林、趙柏儒等,(T)Nb5Ge3對A15Nb3Ge的穩(wěn)定作用,Advances in Cryogenic EngMaterials,1985,32。

6李林、趙柏儒、高矩,濺射Nb-Ge膜中高TeA15相的形成規(guī)律,中國科學,1986,A6。

7李林、趙柏儒等,Sr-La-Cu-O薄膜的超導電性,中國物理快報,1987,4。

8李林、王會生等,取向Ba-Y-Cu-O薄膜的顯微結(jié)構(gòu)與電流密度,科學通報,1988,15, 1134。

9李林、史引煥等,MoNx薄膜的超導和正常態(tài),PbysRev.,B,1988,38:4488。

10李林、張鷹子等,在低損耗LaAlO3基片上外延生長的YBa2Cu3O7薄膜, ModernPhysLett,B4,1990。

11李林、王玉鶴等,直流磁控濺射制備的110K BiPbSrCaCuO薄膜和它的輸運性能, Cryogenics,1991,31:493。

12李林、張鷹子等,直流磁控正軸濺射高質(zhì)量大面積YBa2Cu3O7超導薄膜, ApplPhysLett,1992,61。

13李林、邱祥岡等,濺射法制備在SrTiO3和LaAlO3基片上的YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7異質(zhì)外 延多層膜,JApplPhys.,1992,72。

14李林、邱祥岡等,c-軸取向YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7多層膜的熱磁通耗散研究,PhyRev ,B,1993,47。

15李林、田永軍等,含有BaO顆粒的YBa2Cu3O7薄膜的顯微結(jié)構(gòu)及其性能,ApplPhys.Lett ,1994,65(2)。

16李林、田永軍等,YBa2Cu3O7薄膜上的顆粒分布及微波表面電阻的相關(guān)性, ApplPhys,Lett,1994,65(18)。

17李林、郭莉萍等,激光淀積的YBa2Cu3O7薄膜表面顆粒的顯微結(jié)構(gòu),Physica.C,1995,241 。

18李林、郭莉萍等,激光淀積的YBa2Cu3O7薄膜與LaAlO3基片界面的顯微結(jié)構(gòu)特征,Appl PhysLett,1995,66(24):3356。

19李林、劉軍政等,大面積激光淀積的YBa2Cu3O7薄膜結(jié)構(gòu)與形貌對10GHz下的電阻損耗的 影響,JApplPhys,1995,77(3):1165。

 

20李林、楊曄等,激光淀積YBa2Cu3O7薄膜上的富銅顆粒的生長模式,Acta Physica Sinica(Overseas Edition),1996,5(3):219。

21YYang,JGao,TCChui,LLi,Microstrutural Study of Tilted Epitaxial Thin Films of YBa2Cu3O7-δ with a (105) Orientation,Physica.C,1997,290:23.

22YYang,LLi,YWu,Transmission Electron Microscopy Study of Low- temperature Post-annealed Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Films, SupecondSciTechnol,1997,10:156.

23YWu,WLiu,TYang,LChen,LLi,Lattice image of Tl2Ba2CaCu2O8 Thin Films Grown on Tilted Surface of LaAlO3 Substrate,Physica.C,1998,300:98.

24李林,超導薄膜的電子顯微鏡研究,科儀新知,1999,21:59。

25LLi,Reports:A Review Journal Ferroelectric/Superconductors Heterostructures,Materials Science & EngR.,2000,29:153.

26WFHu,LLi,XJZhao,WLiu,YFChen,TSWang,XGQiu,Pits on the Surfaces of Epitaxial CAxis YBa2Cu3O7-δ Thin Films Grown on Vicinal SrTiO3 Substrates,ChinPhysLett,2000,18:91.